具有n型电荷岛的SOI SJ-LDMOS器件设计

摘要：

导通电阻与击穿电压之间存在的固有矛盾(硅极限理论),极大地限制了传统功率MOSFET的进一步发展.为解决这一矛盾,从超结理论发展出来的新型SJ-MOSFET器件,能够突破硅极限,提高器件耐压的同时降低器件的导通电阻.SOI(Silicon On Insulator)因具有高速、低功耗、集成度高、寄生效应小、抗辐射能力强等优点而得以和SJ-MOSFET器件结合起来.本文以SOI SJ-LDMOS高压器件为研究对象,从常规SOI SJ-LDMOS结构出发,围绕电荷平衡效应、横向和纵向耐压理论、新器件结构等方面进行研究,提出一种电荷性SOI SJ-LDMOS高压器件新结构,并建立了相应的器件结构模型进行仿真实验.该结构耐压提高到178.2V,相对于常规SOI SJ-LDMOS器件的89.5V,击穿电压提高了99.1％.

关键词： 功率电路 结构设计 击穿电压 电荷平衡 绝缘体上硅

作者: 唐棠 李磊

作者单位: 电子科技大学电子科学技术研究院 成都611731

会议类型: 国内会议

会议名称: 综合电子系统技术教育部重点实验室暨四川省高密度集成器件工程技术研究中心2012学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 420-428

在线出版日期: 2012-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）