基于硅介质的太赫兹带阻滤波器设计
基于高电阻系数硅设计了一款太赫兹滤波器,采用时域有限积分算法,通过电磁仿真软件CST的参数优化功能,对硅晶片的厚度,硅面上的金属线条的长度、宽度和单元个数等参数进行了优化,利用高阻硅在太赫兹频率范围具有吸收率低和折射小的特点,以及周期金属结构的带隙特性,设计出传输参数S21为-23.06dB,工作在中心频率0.42THz,-3dB带宽为0.17THz的带阻滤波器.研究结果表明,高阻硅上的周期T型金属结构可以对0.42THz频率信号有效地进行滤波.
带阻滤波器 金属结构 参数优化 仪器设计
张金玲 张宇 吕英华 杨金生
北京邮电大学,北京100876 北京真空电子技术研究所,北京100015
国内会议
成都
中文
182-187
2012-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）