K和Mg高浓度交替掺杂BST薄膜介电性能研究
在Si/SiO2/Ti/Pt基片上用改进的溶胶-凝胶法制备了高掺杂浓度的Mg掺杂、K掺杂及Mg/K交替掺杂(K掺杂表层)的钛酸锶钡(BST)薄膜,并研究了其介电性能.X射线衍射(XRD)表明,薄膜为钙钛矿多晶结构.高浓度掺杂能细化晶粒、促进受主掺杂,K掺杂对应的晶化减弱,Mg掺杂对应的相当,交替掺杂对应的增强;随掺杂浓度增加,晶格常数和晶粒略有增大和细化;随层数增加,交替掺杂薄膜的晶格常数增大,晶粒细化,6层薄膜对应晶化最强.扫描电镜(SEM)表明,交替掺杂薄膜表面形貌介于两单掺杂薄膜之间,且随膜层增加由K掺杂形貌逐渐向Mg掺杂形貌转变;逐层制膜工艺和预晶化使截面形貌致密,且致密性随膜层增加而增加.C-V测试表明,K掺杂对应的调谐率和损耗最高,Mg掺杂对应的最低,交替掺杂对应的适中,且随掺杂浓度和/或膜层的优化而优化.
钛酸锶钡薄膜 溶胶-凝胶法 钾掺杂 镁掺杂 介电性能 多晶结构
张未芳 廖家轩 黄家奇 魏雄邦 吴孟强
电子科技大学,四川成都610054
国内会议
广东清远
中文
24-27
2014-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）