镁和钾交替掺杂BST薄膜优化设计与介电特性研究
根据K掺杂BST(KBST)和Mg掺杂BST(MBST)薄膜的优点,设计K和Mg三明治交替掺杂BST薄膜KBST/MBST/KBST(K/M/K)和MB ST/KB ST/MBST(M/K/M),用溶胶-凝胶(sol-gel)法在Si/SiO2/Ti/Pt基片上制备该薄膜,研究其介电特性.薄膜为立方钙钛矿结构,平均晶粒尺寸16～20 nm.交替掺杂有效整合K掺杂和Mg掺杂,为受主掺杂,晶格常数增大.K/M/K掺杂显著增强晶化、促进薄膜生长,M/K/M掺杂明显细化晶粒、改善界面特性.20 V下C-V测试表明,KBST、MBST、M/K/M型及K/M/K型薄膜的最大电容依次为91、38、37和47 pF,调谐率64％、27％、38％和42％及介电损耗2.90％、1.67％、1.33％和1.58％;随膜厚增加,三者减小,调谐率与损耗之比值增大.M/K/M型薄膜具有最佳综合介电性能,可满足微波调谐需要.对有关机理进行了讨论.
钛酸锶钡薄膜 溶胶-凝胶法 镁掺杂 钾掺杂 介电特性
廖家轩 杨函于 王思哲 张未芳 黄家奇 魏雄邦 吴孟强
电子科技大学,四川成都610054
国内会议
广东清远
中文
32-35
2014-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）