会议专题

Fe2O3掺杂对TiO2-Ta2O5基压敏陶瓷显微结构和电性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备得到了掺杂不同含量Fe2O3(0 mol%~0.1 mol%)的TiO2-Ta2O5基压敏陶瓷,并研究了Fe2O3添加量对TiO2-Ta2O5基压敏陶瓷组成和结构的影响.实验结果表明,掺杂的Fe2O3可以进入TiO2品格中,且在样品中没有观察到第二相.电流-电压(I-V)特性曲线测试表明,TiO2-Ta2O5基压敏陶瓷非线性系数随着Fe2O3掺杂量的增加略微下降,从3.9下降到3.6;压敏电压随着Fe2O3掺杂量的增加而增大,从23 V/mm增大到229 V/mm.

压敏陶瓷 二氧化钛 五氧化二钽 制备工艺 氧化铁掺杂 显微结构 电学性能

高睿超 彭志坚 符秀丽

中国地质大学,北京100083;北京邮电大学,北京100876 中国地质大学,北京100083 北京邮电大学,北京100876

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第十八届全国高技术陶瓷学术年会

广东清远

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77-80

2014-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)