高热稳定性低电阻率钴钡掺杂氧化锰薄膜电极材料制备

摘要：

通过化学溶液共沉积结合旋涂技术,制备了钴(Co)钡(Ba)掺杂的二氧化锰(MnO2)薄膜电极材料,在微晶玻璃电容器接近击穿时断路,从而起到保护电路的作用.对材料进行表征的结果表明,此种方法制备的Co、Ba掺杂的MnO2其热稳定温度达到850℃,高于纯MnO2薄膜电极的600℃.材料的电阻率下降,在Co含量为8mo1％时,材料的电阻率达到0.207Ω·cm,接近纯MnO2的电阻率.MnO2电极在玻璃基片上附着性良好且厚度均匀.材料的高热稳定性和低电阻率可提高其应用效率.

关键词： 电极材料 二氧化锰薄膜 钴掺杂 钡掺杂 制备工艺 热稳定性 电阻率

作者: 窦晓亮 刘晓林 陈建峰 柳银增

作者单位: 北京化工大学有机无机复合材料国家重点实验室,北京100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国高技术陶瓷学术年会

会议地点: 广东清远

会议语种:中文

页码: 89-92

在线出版日期: 2014-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）