铒掺杂氧化钛纳米管阵列薄膜的制备及光电性能
二氧化钛是一种重要的半导体材料，由于具有良好的稳定性和光电活性，在光催化、自清洁、太阳能电池等领域显示了广阔的应用前景。利用真空电弧熔炼的方法制备了不同铒含量(0.5％,1％,2％,质量分数)的Er-Ti合金材料,通过阳极氧化的方法制备出高度有序的纳米管阵列薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外可见分光光度计(UV-vis)和电化学工作站等分别对样品的微观形貌、物相结构、光照开路电位与光电流等进行了分析表征.结果表明,Er掺杂样品的瞬态光电流明显大于未掺杂的样品,其中1％ Er-TiO2样品的光电流最大.
二氧化钛半导体 纳米管阵列薄膜 制备工艺 铒掺杂 光电性能
米颖娟 赵建玲 马原辉 王西新 陶金亮 唐成春
河北工业大学,天津300130
国内会议
广东清远
中文
669-672
2014-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）