Sc2O3稳定ZrO2薄膜电解质的制备与表征

摘要：

利用射频磁控溅射方法制备了一系列Sc2O3稳定ZrO2薄膜固体电解质.通过XRD和SEM表征了10 mol％ Sc2O3掺杂ZrO2 (10ScSZ)薄膜的物相结构、晶粒大小以及表面与截面形貌.同时,研究了基板类型和基板温度对10ScSZ薄膜电解质电导率的影响.结果表明:通过射频磁控溅射沉积以及退火处理,成功制得纳米晶粒尺度、室温下立方萤石相稳定的10ScSZ薄膜.室温下在石英衬底上制备的10ScSZ薄膜电解质的电导率高于在多晶氧化铝衬底上制备的10ScSZ薄膜电解质电导率.随着沉积温度提高,l0ScSZ薄膜电解质电导率逐渐下降,这是由随着沉积温度升高而增大的10ScSZ薄膜晶粒尺寸导致的.

关键词： 薄膜电解质 氧化锆 氧化钪 射频磁控溅射 物相结构 电导率

作者: 姚蕾 欧刚 潘伟

作者单位: 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国高技术陶瓷学术年会

会议地点: 广东清远

会议语种:中文

页码: 673-676

在线出版日期: 2014-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）