环境温度及晶界相断裂韧性对氮化硅陶瓷桥接行为的影响

摘要：

针对不同温度下(77,159,293和500 K)氮化硅陶瓷中产生的80条裂纹中的5764个裂纹偏转和428个桥接进行了统计分析;利用数值模拟方法定量研究了氮化硅陶瓷中晶界相断裂韧性对裂纹桥接行为的影响.结果表明:在不同温度下,氮化硅陶瓷中桥接形成几率随偏转角度变化趋势相似.当裂纹偏转角度为70°～90°时,桥接形成几率最高;温度变化对桥接形成影响较小.晶界断裂韧性对氮化硅陶瓷桥接有明显影响,过高或过低均不利于桥接的形成.

关键词： 氮化硅陶瓷 桥接行为 环境温度 晶界相 断裂韧性 数值模拟

作者: 魏赛 Lukas W.Porz 谢志鹏 刘彬 陈娟 赵佳敏

作者单位: 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084;Darmstadt University of Technology,Darmstadt 64287

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国高技术陶瓷学术年会

会议地点: 广东清远

会议语种:中文

页码: 710-713

在线出版日期: 2014-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）