基于Al2O3介质的MIS结构GaN增强型器件

摘要：

基于MOCVD生长的AlGaN/GaN异质外延材料,采用栅挖槽技术结合A12O3介质的方式研制了1um栅长MIS结构GaN增强型HEMT器件.器件阈值电压达到1.7V,饱和电流达到570mA/mm,最大跨导达到170mS/mm.器件的fT和fmax分别达到7GHz和16GHz.

关键词： 高电子迁移率晶体管 增强型器件 栅挖槽工艺 阈值电压

作者: 周建军 陈安定 孔岑 孔月婵 董逊 陆海燕 李忠辉 陈堂胜

作者单位: 南京电子器件研究所,南京 210016 空军驻江苏地区军事代表室,南京210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 47-50

在线出版日期: 2012-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）