晶核对硅薄膜再结晶作用的研究
用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),低温下在廉价玻璃衬底上沉积了不同晶核密度的非晶硅(a-Si)薄膜和微晶硅(μc-Si)薄膜以及掺磷硅薄膜.使用快速光热退火法(RTP)对以上几种硅薄膜进行了低温短时(600℃下7分钟)的退火处理.用Raman、SEM等对退火前后的薄膜进行微结构分析后发现,晶核对薄膜的再结晶起着至关重要的作用.首先,晶核的存在有利于再结晶初期的进行;其次,过密的晶核不利于晶粒的进一步长大;再者,退火中的快速升温不利于晶核的形成,慢速升温有利于晶核的形成;最后,掺杂相当于在薄膜中植入了晶核.
硅太阳电池 硅薄膜材料 退火处理 再结晶作用 晶核
张丽伟 梅欣丽 卢红霞 卢景霄
新乡学院,新乡,453000;郑州大学,郑州,450052 新乡学院,新乡,453000 郑州大学,郑州,450052
国内会议
北京
中文
1411-1416
2011-10-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）