BaSiO3掺杂对BT基电容器陶瓷性能和结构的影响
钛酸钡作为一种性能优异的铁电材料，逐渐成为电子陶瓷领域使用最广泛的材料之一，被誉为“电子陶瓷工业的支柱”。利用其高的热变参数及优良的铁电、压电、耐压和绝缘性能，钛酸钡广泛用于制作正温度系数(PTC)热敏电阻、计算机记忆元件、电容器陶瓷、半导体陶瓷、压电陶瓷等电子元器件。由于钛酸钡陶瓷具有高的介电常数，能在较小的体积内储存较大的电能，且对环境无污染，因而成为陶瓷电容器，特别是多层陶瓷电容器(MLCC)的首选介电材料。采用常规电容器陶瓷固相法,借助XRD、SEM等测试分析方法,系统研究了BaSiO3掺杂对BaTiO3基电容器陶瓷烧结温度及介电性能的影响.结果表明:掺杂BaSiO3能够有效改善瓷体的烧结和显微结构.当BaSiO3掺杂量为3mol％时,烧结温度比未掺杂的样品降低了40℃,εr为1792,稍高于未掺杂样品,tanδ为1％,比未掺杂样品低了7.24％.SEM照片显示,BaSiO3掺杂能促进BT晶粒均匀生长,并抑制陶瓷的再结晶现象,使陶瓷结构致密,气孔率小.XRD分析可知,在材料中有少量SiO2杂相生成,但对BT晶格参数无明显影响.
电容器陶瓷 钛酸钡 硅氧化钡 烧结温度 介电性能
黄新友 高春华 崔永臻 陈志刚
江苏大学材料科学与工程学院,镇江,中国,212013
国内会议
重庆
中文
783-786
2011-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）