Zn0.98Nd0.02O薄膜的结构与室温导电特性
Zn0是新型性质优良的半导体光电材料，属于六角纤锌矿结构，通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了Zn0.98Nd0.02O薄膜.薄膜的结构和表面形貌通过XRD分析和AFM观测,表明Nd掺杂没有改变ZnO纤锌矿结构,Zn0.98Nd0.02O薄膜为沿(100)、(101)方向生长的纳米多晶结构,表面形貌粗糙.薄膜的室温Ⅰ-Ⅴ曲线表明了Zn0.98Nd0.02O薄膜的非线性导电特性.其非线性导电特性源于,膜中的载流子受外电场激发而进入导带导电,以及Nd掺杂导致了薄膜中产生的间隙锌缺陷态电离产生的电子导电.在光辐照作用下,增强了Zn0.98Nd0.02O薄膜的导电能力.
半导体薄膜材料 氧化锌 射频磁控溅射技术 钕元素 导电特性
文军
渭南师范学院,物理与电气工程学院,渭南,陕西,中国,714000
国内会议
重庆
中文
810-814
2011-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）