铜铟硒(CIS)薄膜太阳能电池吸收层的硒化工艺优化研究
采用溅射后硒化法制备铜铟硒薄膜太阳能电池的吸收层CISe薄膜,用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了CISe薄膜的成分和表面形貌.研究了硒化温度由350℃升高到500℃以及在450℃硒化时间从20min到40min的不同样品的物相组成和形貌结构,结果表明随着硒化温度升高,可以得到更好的薄膜成分和晶相形貌的CISe薄膜,当样品在500℃硒化30min或450℃硒化40min时可得到物相结构和微观形貌较好的CISe薄膜.
薄膜太阳能电池 铜铟硒薄膜 吸收层 硒化工艺 物相结构 微观形貌
王波 刘平 李伟 刘新宽 马凤仓 陈小红
上海理工大学,机械工程学院,上海,中国,200093 上海理工大学,材料科学与工程学院,上海,中国,200093
国内会议
重庆
中文
1104-1108
2011-11-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)