不同过饱和度下生长的ADP晶体的缺陷研究

摘要：

磷酸二氢铵晶体(NH4H2PO4，简称ADP)，是一种性能优良的非线性光学晶体，具有激光倍频效应、X射线分光效应、光电效应、压电效应等多种功能，且易于长成大尺寸晶体，在光电调制、非线性光学等领域有广泛的应用。进行了不同的过饱和度下ADP晶体的生长实验,观察晶体生长过程中的实验现象;对生长出的晶体用腐蚀法在金相显微镜下观察位错缺陷,随着过饱和度的增加晶体中的位错缺陷密度明显提高;利用同步辐射白光X射线形貌术拍摄了晶体(001)和(010)晶面的形貌像,观察到了晶体生长中的位错及包裹体等缺陷.

关键词： 磷酸二氢铵晶体 生长过程 位错缺陷 包裹体缺陷 过饱和度

作者: 于跃娟 滕冰 钟德高 李建宏 马江涛 黄万霞

作者单位: 青岛大学物理科学学院,青岛,中国,266071 青岛海泰光电技术有限公司,青岛,中国,266100 中国科学院高能物理研究所,北京,中国,100039

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011中国功能材料科技与产业高层论坛

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 401-404

在线出版日期: 2011-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）