衬底温度对ZnO∶Mn薄膜结构及光电性质的影响
ZnO是一种具有六角纤锌矿结构的直接宽带隙半导体材料，常温下带宽为3.3eV，激子束缚能高达60meV，具有很好的光电和压电特性，在紫外发光器件、紫外激光器件、压电器件、太阳能电池、透明导电薄膜等诸多方面都具有广泛的应用前景.采用射频磁控溅射法在不同衬底温度下制备了ZnO:Mn薄膜,借助X射线衍射、场发射扫描电镜、荧光光谱、霍尔测试等手段分析了衬底温度对薄膜结构及光电性质的影响.研究表明衬底温度的升高不仅可以改善薄膜的结晶质量和表面形貌,提高薄膜的带边发射(NBE),而且在一定程度上还能够抑制Zn填隙及其相关缺陷的生成.薄膜中缺陷浓度的变化对样品的电学性能有着一定的影响。
半导体薄膜 射频磁控溅射法 衬底温度 光电性能 结晶质量 表面形貌
杨天勇 孔春阳 阮海波 秦国平 黄桂娟 李万俊 梁薇薇 孟详丹 赵永红 方亮
重庆师范大学光学工程重点实验室,重庆,中国,400047 重庆大学物理学院,重庆,中国,400030 重庆师范大学光学工程重点实验室,重庆,中国,400047;重庆大学物理学院,重庆,中国,400030
国内会议
重庆
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431-435
2011-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）