溅射功率对碳化锗薄膜化学键的影响研究
本文用磁控共溅射方法制备了无氢非晶碳化锗薄膜。用拉曼光谱(Kaman)、傅里叶变换红外透射光谱( FTIR)和X射线光电子谱(XPS)等方法研究了锗功率对碳化锗薄膜的结构和化学键性质的影响。为了深入理解锗功率对磁控共溅射制备的无氢非晶碳化锗薄膜的化学键性质的影响.利用拉曼光谱(Raman)、傅里叶变换红外透射光谱(FTIR)和X射线光电子谱(XPS)对碳化锗薄膜的结构及化学键进行了分析.FTIR结果显示在610cm-1处有较强的吸收峰,这说明在薄膜中形成了Ge-C键.Raman结果表明在薄膜中含有Ge和C团簇,并且所有的薄膜均为非晶结构.XPS结果表明薄膜中碳的含量随锗功率的增加而减少.薄膜中sp3 C-C的相对含量受锗功率的影响很小.当锗功率从40瓦升到80瓦时,sp2 C-C的相对含量从56.5％下降到40.0％,当功率继续升高时,sp2 C-C的相对含量缓慢的下降到35.9％.而sp3 C-Ge的相对含量随着锗功率的增加逐渐增多。
碳化锗薄膜 磁控共溅射法 化学键性质 溅射功率
朱嘉琦 姜春竹 贾振宇
哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所,哈尔滨,中国,150001
国内会议
重庆
中文
468-472
2011-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）