高电导率P型纳米硅薄膜的制备及其在薄膜太阳电池中的应用
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,以高氢稀释的硅烷(SiH4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,氢气(H2)为稀释气体,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜,分别研究了衬底温度和硼掺杂量对氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜微结构和光电性能的影响.结果表明:掺硼硅薄膜的晶粒尺寸在1.5～2.0nm左右,晶化率在30％50％左右,光学带隙最高可达2.15eV;室温电导率最高可达12.39S·cm-1.将p型nc-Si:H薄膜应用到Al栅极/AZO/p-nc-Si:H/n-c-Si/Al背电极异质结太阳电池中,制备出的面积为20mm×20mm的电池开路电压达到563.7mV,短路电流达到123.72mA。
p型纳米硅薄膜 化学气相沉积法 微结构 光电性能 太阳电池
杨东杰 张维佳 林军 Jean Jacques HAVUGIMANA 刘嘉 孙月峰 马强
北京航空航天大学,物理科学与核能工程学院,北京,中国,100191
国内会议
重庆
中文
666-669
2011-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）