ICPCVD法低温制备SiO2薄膜技术研究
对ICPCVD(感应耦合等离子气相沉积)设备功能进行了分析,利用该设备在低温(20℃)下进行了工艺实验,通过对功率、压力、流量等关键参数与二氧化硅淀积速率和折射率的关系分析,对淀积条件与淀积速率折射率的影响给出了说明,获得了低温下淀积二氧化硅薄膜的工艺条件.并对该工艺条件的应用前景进行了分析对比,指出该工艺可以应用于低温剥离工艺和有机聚合物光路以及MEMS电路制造中对低温和损伤的要求. 等离子淀积过程是一个复杂的物理和化学反应过程，相比于PECVD(等离子增强气相沉积)法需要在300℃才能获得优异的二氧化硅薄膜，本文通过对ICPCVD设备和上艺的研究，获得了在低温(20℃)下淀积二氧化硅的工艺条件，并对工艺条件进行了压力、功率、硅烷流量方面的优化，为敏感器件和低温聚合物器件的工艺制备提供了一种选择。
半导体材料 二氧化硅薄膜 感应耦合等离子气相沉积 工艺优化 低温特性
张力江 张彤
东南大学电子科学与工程学院,南京,210096;中国电子科技集团公司第十三研究所 东南大学电子科学与工程学院,南京,210096;微惯性仪表与先进导航技术教育部重点实验室,东南大学,南京,210096;东南大学苏州研究院苏州市金属纳米光电技术重点实验室,苏州,215123
国内会议
南京
中文
27-30
2014-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）