中子屏蔽材料屏蔽效能理论计算
通过蒙特卡罗理论计算方法,运用综合考虑中子注量与中子能谱的全能谱硅位移损伤函数作为表征屏蔽材料屏蔽效能的参数,探索研究不同组分、不同厚度的中子屏蔽复合材料对典型裂变中子谱的屏蔽效能变化规律.计算结果表明,随着屏蔽体含硼量增大,透射中子的全能谱硅位移损伤逐渐下降,在含硼量80％左右有拐点,随着屏蔽体厚度增大透过屏蔽体的中子注量降低、平均能量增大、硅平均位移损伤因子增大,透射中子的全能谱硅位移损伤逐渐下降.因此通过增加屏蔽体厚度可以提高其屏蔽中子的性能.理论计算结果为进一步开展试验验证研究提供了重要参考.
屏蔽材料 中子注量 中子能谱 屏蔽效能 蒙特卡罗
朱小锋 许献国 赵洪超
中国工程物理研究院电子工程研究所 四川绵阳 621999
国内会议
四川省电子学会曙光分会第十七届学术年会暨中物院第十届电子技术青年学术交流会
长沙
中文
84-92
2014-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）