LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器

摘要：

设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构，采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试10支条宽100μm，腔长1mm的激光器样品，连续输出功率超过1W，阈值电流密度为330～490A/cm<”2>，外微分量子效率为55℅～78℅，中心发射波长为(808±3)nm。

关键词： 分别限制结构 单量子阱 激光器

作者: 李忠辉 王向武 张宝顺

作者单位: 长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室 信息产业部电子第五十五所新材料中心(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 232～235

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）