会议专题

深紫外准分子激光相移光刻

讨论相移掩模提高光刻分辨率的基本原理和物理机理。导出了光刻成像的计算机模拟公式,介绍了我们自行设计、建立的KrF准分子激光相移光刻实验曝洪系统,并给出几个计算结果。

分辨率 相移掩模 准分子激光光刻

孙方 侯德胜 冯伯儒

科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室(成都) 科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室

国内会议

第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

长沙

中文

312~314

1999-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)