铜电极上原位生长CuS纳米管及其在H202传感器中的应用
本文主要采用一种简单的自牺牲模板法在Cu电极上原位生长CuS纳米管(CuS NTs)并直接用于H2O2传感器的研究.疏松多孔的CuS NTs是由纳米颗粒堆积而成的,这种特殊的结构不仅能为H2O2的催化氧化提供大量的活性位点,还能提供更多的电子传递通道.原位生长一方面能有效避免传统修饰电极制备过程中必需的超声和高分子聚合物的使用,最大限度的保持材料结构的完整性并且提高活性材料的利用率;另一方面有利于电极材料/电极界面的电子传递,提高传感器的灵敏度.
过氧化氢传感器 硫化铜纳米管 铜电极 自牺牲模板法
钱蕾 郑保战 肖丹
成都理工大学材料与化学化工学院,四川,成都,610059 四川大学化学学院,四川,成都,610065
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2014-11-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)