考虑NBTI空穴俘获释放机制的组合逻辑门延迟预测

摘要：

随着集成电路工艺尺寸下降到纳米级,负偏置温度不稳定性(NBTI)成为影响电路可靠性的首要老化效应.精确的老化预测模型是节省防护开销的重要前提.针对传统的反应扩散机制下阈值电压变化预测模型存在的预测偏差问题,本文分析了NBTI空穴俘获释放机制下阈值电压变化模型,提出了新的组合逻辑门传输延迟预测模型(TDDP),达到了精确预测数字电路老化的目的,为老化防护提供了更优的参考模型.实验结果表明,针对设置时序余量的老化防护方法,在保证等值生命周期可靠性的前提下,参考TDDP模型比参考已有的反应扩散(RD)模型减少平均18.2％的时序余量开销.

关键词： 集成电路 负偏置温度不稳定性 空穴俘获释放机制 组合逻辑门延迟预测 老化防护

作者: 李军 梁华国 许达文 许晓琳 靳松

作者单位: 合肥工业大学计算机与信息学院 安徽合肥230009 合肥工业大学计算机与信息学院 安徽合肥230009;合肥工业大学电子科学与应用物理学院 安徽合肥230009 合肥工业大学电子科学与应用物理学院 安徽合肥230009 华北电力大学电气与电子工程学院电子与通信工程系 河北保定071003

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国测试学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 37-42

在线出版日期: 2014-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）