集成浸没透镜结构的碲镉汞光伏器件的研制
采用等温气相外延方法(ISOVPE)在CdZnTe衬底上生长出碲镉汞外延材料结构,在此基础上研制出具有集成浸没透镜结构并在近室温条件下工作的碲镉汞光伏器件,器件的工作波段位于2.5-3.2微米.由于采用ISOVPE工艺生长的碲镉汞外延材料具有较大的组分梯度,文中采用了多次湿法腐蚀—透射光谱测试的方法对材料的截止波长进行较为精确的定位.在碲锌镉衬底上采用单点金刚石工艺加工得到直径为1.5mm的超半球结构的集成浸没透镜,并利用激光诱导电流(LBIC)测试方法对加工浸没透镜前后的器件进行了光学响应面积的评价.通过比较透镜加工前后器件的电流—电压特性曲线测试对浸没透镜加工过程的影响进行了评价,发现透镜加工完成后器件的零偏压电阻略有增加,这与超半球结构会减小器件的辐射入射角相符合.在透镜加工前后对器件的黑体信号和噪声进行了测试,发现具有浸没透镜的器件其信号比之前增加了20-30倍,而其噪声由于零偏压电阻的增加而略有降低,因此器件的黑体探测率实现了最高达4倍的增加.
光伏器件 制造工艺 浸没透镜结构 碲镉汞材料
乔辉 王仍 焦翠玲 龚玮 李向阳
中国科学院上海技术物理研究所 中科院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083 中国科学院大学,北京 100039
国内会议
上海
中文
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2014-12-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）