离子束刻蚀型碲镉汞的迁移率谱分析
本文利用迁移率谱技术分析了离子束刻蚀后的碲镉汞材料,发现p型碲镉汞材料在刻蚀后完全转为n型,且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和较高迁移率的体电子层.通过分析不同温度下的迁移率谱,表明表面电子的迁移率不随温度而变化,而体电子的迁移率随温度变化与传统的n型碲镉汞材料的趋势一致.剥层霍尔测试显示体电子层的电学性质均匀.
碲镉汞材料 迁移率谱 离子束刻蚀 电学性质
徐国庆 刘向阳 张可锋 杜云晨 李向阳
中国科学院上海技术物理研究所,传感技术联合国家重点实验室,上海 200083 中国科学院研究生院,北京 100039
国内会议
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2014-12-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）