原子层沉积技术中电场对ZnO薄膜结晶性能的调制研究
本文采用一种可变电场调制的原子层沉积技术(E-ALD)制备了氧化锌(ZnO)薄膜.在前驱体脉冲时,通过施加不同大小和方向的电压,可以对制备所得ZnO薄膜的晶体择优取向和结晶性能进行可控调制.当在锌源脉冲时施加正电压,氧源脉冲时施加负电压,制备得到了c轴择优取向的ZnO薄膜.电场对薄膜的调制机理为:当在腔室内施加电场时,极性的前驱体分子受到电场偶极矩的作用,使得分子发生偏转并且沿着电场线方向加速的向衬底运动,这对衬底表面化学反应的强度以及发生反应后分子的排列产生影响,进而影响到制备所得薄膜的结构和性能.这种E-ALD技术为半导体薄膜的制备提供了一条新的途径,有望制备出特定性能的薄膜材料.
半导体材料 氧化锌薄膜 原子层沉积 电场调制 结晶性能
卢维尔 贾毅 李超波 夏洋
中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心,嘉兴,314006;浙江大学电气工程学院,杭州,310058 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心,嘉兴,314006
国内会议
宁波
中文
312-324
2014-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）