无掺杂ZnO dO铁磁性的可能来源
(0) 用第一性原理研究了ZnO中本征缺陷及本征缺陷与H原子形成的缺陷复合体对ZnO铁磁性的影响.结果表明:单个锌空位VZn在ZnO中可以引入1.73μB的磁矩,然而氧空位Vo不能诱发磁性,但是VZn形成能比Vo高出很多.当H原子被引入ZnO中,并与锌空位形成缺陷复合体VZn+HI后,VZn+HI形成能比VZn形成能明显减小.在Zn15H1O16超胞中VZn+HI可以产生0.99(0.65)μB磁矩.进一步研究发现在含有两个VZn+HI的ZnO超胞中,铁磁态的能量比反铁磁态更低,缺陷复合体间存在着强烈的铁磁相互作用.在ZnO制备过程中H元素常常被无意掺杂进来,因此,无意掺杂的ZnO dO铁磁性可能来源于VZn和H原子的缺陷复合体Vzn+HI.
半导体材料 氧化锌 铁磁性 第一性原理
彭成晓 梁勇 王科范 张杨 赵高峰 王渊旭
计算材料科学研究所,物理与电子学院,河南大学,开封,475004
国内会议
宁波
中文
502-514
2014-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）