垂直高速转盘式MOCVD反应器生长GaN化学反应路径的研究

摘要：

本文针对分隔进口垂直高速转盘式MOCVD反应器(RDR)生长GaN的气相化学反应路径进行了研究.利用CFD软件Fluent,对RDR生长GaN过程中的化学反应进行模拟.通过对比考虑与不考虑(CH3)3Ga:NH3+NH3→(CH3)2GaNH2+CH4+NH3反应的结果,分析该反应对RDR生长GaN化学反应路径的影响.结果表明,若考虑该反应,RDR反应器生长GaN的路径为加合路径;若不考虑该反应,生长路径则为热解路径.

关键词： 化合物半导体 氮化镓 生长路径 金属有机物化学气相沉积法 转盘式反应器

作者: 何晓崐

作者单位: 江苏科技大学苏州理工学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014江苏省工程热物理学会第八届学术会议

会议地点: 江苏南通

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2014-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）