硅纳米线中表面缺陷和体缺陷对热导率影响的分子动力学模拟

摘要：

本文采用非平衡态分子动力学方法模拟计算了不同孔隙率条件下含有表面缺陷和体缺陷的硅纳米线的导热率,对比分析了缺陷种类及孔隙率对硅纳米线热导率的影响.结果表明,含有体缺陷硅纳米线的热导率较含有表面缺陷硅纳米线的更低,并且随着孔隙率的上升热导率逐渐减小.模拟结果还显示,随着孔隙率的上升硅纳米线的热导率变化趋于平缓并接近一个稳定值.

关键词： 硅纳米线 表面缺陷 体缺陷 孔隙率 热导率 分子动力学

作者: 王希稳 王健 陈永平

作者单位: 扬州大学水利与能源动力工程学院,扬州 225127 扬州大学物理科学与技术学院,扬州 225002

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014江苏省工程热物理学会第八届学术会议

会议地点: 江苏南通

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2014-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）