具有新型图形化SiO2/Al2O3钝化层的高性能GaN基发光二极管
本文设计并实现了一种具有新型图形化SiO2/A12O3钝化层的GaN基发光二极管(LED).此新型钝化层包含两层,其中第一层Al2O3是用原子层沉积(ALD)技术生长,其薄膜具有很好的均匀性和致密性,进而实现了良好的钝化效果;第二层SiO2是用PECVD生长,并在其上制作了半球形阵列,降低了全反射,进而增强了出光功率(LOP).在60mA输入电流条件下,具有图形化SiO2/Al2O3钝化层的LED与传统的用SiO2作为钝化层的LED相比,其出光功率提高了21.6％.
氮化钙基发光二极管 钝化层 钝化效果 出光功率
朱敏 郭浩 陈洪钧 张雄 崔一平
东南大学电子科学与工程学院先进光子学中心
国内会议
上海
中文
67-71
2014-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）