不同温度退火下GaN基SP-LEDs中银的扩散
本文的目的是弄清其原因并探究在热处理过程中SP-LEDs结构会发生的变化。我们通过热退火实验模拟SP-LEDs制备过程中的不同的高温条件或热处理，研究了在不同退火温度下，Ag在GaN基LED中的扩散程度及其对内量子效率的影响。PL测试结果表明，当退火温度低于700℃时，内量子效率没有明显的下降。当退火温度高于800℃时，内量子效率将会下降25％。SIMS测试结果表明，Ag在高于温度800℃时会扩散至量子阱区。因此，在制作SP-LEDs时，为了获取更高的内量子效率，应合理的规避高温条件，抑制金属的扩散。本文的结果在一定程度上，有助于制作出更高内量子效率的SP-LEDs。
镓氮基发光二极管 表面等离激元 银金属 扩散现象 量子阱 退火温度
刘磊 赵丽霞
中国科学院半导体研究所照明研发中心
国内会议
北京
中文
112-113
2014-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）