中子能谱不确定度对全能谱硅位移损伤的影响分析
辐射物理研究领域常用的ASTM E722-04标准(或Griffin等报告SAND92-0094)将位移损伤函数表在0.ImeV--20MeV范围内的中子划分为640群;通常地,裂变谱也只分成183群;而在实际能谱测量时,受实验条件和测量方法的制约,给出的测量结果--中子能谱分布(或称中子的能量注量分布)能群的划分方式更是有一定的局限性,不能按照ASTM-E722的能群划分方式.因此在计算获得全能谱位移损伤时,需要考虑中子能谱不确定度对其影响.本文通过对中子能谱不确定度的概念阐释及其来源的分析,从全能谱位移损伤的计算方式出发,分析了中子能谱的不确定度对全能谱位移损伤的影响.虽然中子能谱测量受技术水平限值其不确定度较大，但是只要在重要能段的能谱测量相对精确，依然可以给出较为准确的全能谱硅位移损伤或平均能质的物理量。为了提高获取全能谱硅位移损伤的精度，在量等在抗辐射加固技术领域用于评价辐射场品能谱测量方面，重点关注提高0.2MeV-3MeV能量范围内(约占全谱中子份额的85％以上)测量精度的方法，可以事半功倍。
半导体材料 硅位移损伤 中子能谱 不确定度
艾自辉 郑春 曾丽娜
核物理与化学研究所,四川绵阳,919-210信箱,621900 核物理与化学研究所,四川绵阳,919-210信箱,621900;中国工程物理研究院中子物理学重点实验室,四川绵阳,621900
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2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）