PDSOI SRAM单光子吸收激光脉冲与重离子单粒子LET翻转阈值对应关系

摘要：

本文通过对SRAM芯片背面进行减薄去除衬底处理,直接从集成电路背面将532nm激光作用在PDSOI SRAM有源区,测试出了不同PDSOI SRAM电路单光子吸收激光脉冲翻转所需能量.并将上述PDSOI SRAM在重离子加速器上进行了不同能量单粒子翻转测试,测试出了各电路的LET翻转阈值.测试结果比对后表明,单光子吸收脉冲激光翻转所需有效能量与重离子单粒子翻转的LET翻转阈值成良好的线性关系.

关键词： 集成电路 抗辐照性能 单光子效应 单粒子翻转 LET阈值 重离子 激光脉冲

作者: 曾传滨 高林春 闫薇薇 杨娜 赵发展 刘刚 罗家俊 韩郑生

作者单位: 中国科学院微电子研究所,北京市朝阳区北土城西路3号,100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）