电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析
应用蒙特卡罗方法模拟计算了质子入射科学级电荷耦合器件(Charge-coupled Device,简称CCD)结构中的能量沉积,并结合该CCD的质子辐照试验及退火试验,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算体硅内沉积的位移损伤剂量和栅氧化层的电离损伤剂量,辐照与退火试验过程中主要考察暗信号、电荷转移效率两个参数的变化规律.研究结果显示,暗信号和电荷转移效率的变化规律与位移、电离损伤剂量一致;退火后暗信号大幅度降低,辐照导致的表面暗信号增加占总暗信号增加的比例至少为80％;退火后电荷转移效率恢复较小,电荷转移效率降低的原因主要为体缺陷.通过总结试验规律,推导出了电荷转移效率退化程度的预估公式及其损伤因子kdamage.
电荷耦合器件 电荷转移 质子辐照 位移损伤 电离损伤
曾骏哲 何承发 李豫东 郭旗 文林 汪波 玛丽娅 王海娇
中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐市北京南路40-1号,830011
国内会议
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2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）