可编程器件的瞬时电离辐射效应及加固技术研究
概述了国内外瞬时电离辐射效应的研究历程.针对空间电子学系统常用的两种类型可编程器件(32位微控制器和反熔丝FPGA),分别研制了辐照试验长线动态测试系统,在“强光一号”脉冲加速器上开展了γ瞬时电离辐照试验.试验数据表明:32位微控制器的瞬时电离辐射效应表现为复位重启和闭锁,闭锁阈值为6×107Gy/Si.s,反熔丝FPGA的瞬时电离辐射效应表现为瞬时扰动和复位重启,二者的工作电流都随着剂量率的增加而升高.分析了两种可编程器件的瞬时电离辐射损伤机理,提出了一种抗瞬时电离辐射的电路设计加固方法.
微控制器 反熔丝现场可编程门阵列 瞬时电离辐射效应 加固技术
杜川华 许献国 赵海霖
中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳,621900
国内会议
西安
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2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）