一种FLASH型FPGA总剂量辐射效应

摘要：

本文对Actel公司一款基于Flash型FPGA进行了γ射线电离总剂量辐照效应研究,分析了Flash型FPGA功能及功耗电流随辐照总剂量增加的变化规律.实验结果表明,其电离辐射损伤模式为功耗电流随总剂量增加而增大,当增大到一定程度时,导致功能失效,加电与非加电状态下的抗电离总剂量辐射能力相差不大,功能损伤阈值不高于400Gy(Si).

关键词： 飞行器 计算机系统 现场可编程门阵列 辐照总剂量 电离辐射

作者: 牛振红 李志峰 江志烨 白锦良 张力

作者单位: 试验物理与计算数学国家级重点实验室 北京9200信箱76分箱7号 100076

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）