中子和γ综合辐照在Si中产生初级辐照损伤的模拟研究
应用Geant4对具有一定能量分布的中子和γ射线在硅材料中的输运过程进行了模拟分析.通过提取初级离位原子的能量和坐标,得到其能量分布和空间分布.根据得到的能量分布和空间分布,计算了具有特定能量值的初级离位原子在级联碰撞过程中产生的次级离位原子数目,获得了离位原子总数的空间分布情况.这些结果对后续的辐照损伤研究具有重要意义.
硅材料 辐照损伤 中子 γ射线
赵东东 刘红侠
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071
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2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）