p型金属氧化半导体CO3O4纳米棒的制备及敏感性能的研究
以六水合硝酸钴为原料,十二水合磷酸钠为表面活性剂,结合水热合成和高温煅烧的方法制备了p型金属半导体Co3O4纳米棒状材料.采用X射线衍射(XRD)、扫面电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等方法对所制备的Co3O4的晶体结构、表面形貌与组成进行了表征和分析.分析结果显示,Co3O4纳米棒状材料分散性较好,是标准的尖晶石结构,直径分布范围在200至300nm左右,平均长度在2μm左右.通过对气敏性能的测试,结果表明其在180℃时对CO气体具有良好的选择性,且灵敏度较高响应恢复时间较好,检测下限可以达到1ppm,具有低浓度检测的优势.
p型半导体材料 四氧化三钴纳米棒 制备工艺 敏感性能 气体传感器
邓佳楠 王蕊 土丽丽 娄正 张彤
集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院 吉林长春130012
国内会议
太原
中文
417-420
2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）