退火工艺改善硅压阻式压力传感器中电极欧姆接触的研究
以半导体电阻作为压阻式压力传感器的敏感元件,相较于金属电阻有更高的灵敏度,但芯片上电桥中的电阻需要通过金属电极引出,然后封装成为器件,这便存在电极处金属与半导体的接触问题,要保证传感器工作的灵敏度与稳定性,电极处需要获得良好的欧姆接触.本文针对硅压阻式压力传感器,使用退火的热处理方法,改善了电极处的接触电阻,使器件单臂测量电阻在0.5V以上工作电压时基本稳定,随电压变化率0.20％/V.实验发现退火会造成电极改性,并以此分析退火处理改善电极处欧姆接触的作用机制.同时利用Au的电迁移特性,尝试使用电老化的方法,使器件单臂测量电阻单向获得了线性欧姆特性.
硅压阻式压力传感器 金属电极 欧姆接触 退火工艺
张萌颖 赵湛 杜利东 刘启民 方震 卫克晶
中国科学院电子学研究所,传感技术联合国家重点实验室,北京100190;中国科学院大学,北京100080 中国科学院电子学研究所,传感技术联合国家重点实验室,北京100190 解放军理工大学,气象海洋学院,探测与装备工程教研中心,南京210007
国内会议
太原
中文
553-556
2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）