GaAs,InP,GaN高电子迁移率晶体管模型比较

摘要：

本文介绍了GaAs,InP 和GaN三种不同衬底的高电子迁移率晶体管小信号模型,比较了三种不同衬底器件的物理结构.开路测试,短路测试,去嵌等小信号模型寄生参数提取方法在文中被介绍,且对三种不同衬底的高电子迁移率管寄生参数进行了比较.建模结果和实验测试结构得到了很好的吻合.

关键词： 晶体管 氮化镓 砷化镓 磷化铟 小信号模型 寄生参数

作者: 沈溧 骆丹婷 高建军

作者单位: 华东师范大学,信息科学技术学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会电路与系统学会第二十五届年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）