GaN HEMT器件小信号等效电路模型参数提取

摘要：

推导了GaN HEMT小信号等效电路模型参数计算公式,采用开路短路测试结构的方法提取PAD电容和寄生电感,反向截止方法提取寄生电阻,通过去嵌和灵敏度分析的方法优化本征参数.同时,利用ADS仿真工具对模型进行了仿真验证,模拟结果表明,在500MHz～40GHz频率范围内和在片S参数测试结果吻合很好.

关键词： 晶体管 氮化镓 小信号等效电路模型 参数提取

作者: 骆丹婷 程冉 高建军

作者单位: 华东师范大学信息科学技术学院,上海市东川路500号,200241

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会电路与系统学会第二十五届年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 1-8

在线出版日期: 2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）