SOI LDMOS开态表面势场分布解析模型

摘要：

SOI LDMOS的开态击穿电压主要取决于漂移区的电势和电场分布.本文基于二维泊松方程,建立了漂移区全耗尽情况下的SOI LDMOS表面电势和表面电场分布解析模型.利用该解析模型和半导体器件仿真软件MEDICI,探讨了偏置电压和结构参数对表面电势和表面电场分布的影响.解析模型结果与数值仿真结果吻合良好,验证了模型的准确性.

关键词： 横向双扩散效应晶体管 绝缘体上硅 击穿电压 电势分布 电场分布 准确性

作者: 杨可萌 郭宇锋 刘陈 林宏 张长春 夏晓娟

作者单位: 南京邮电大学 电子科学与工程学院,江苏 南京 210023;江苏省射频集成与微组装工程实验室,江苏 南京 210023

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会电路与系统学会第二十五届年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 1-10

在线出版日期: 2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）