考虑电路拓扑关联的老化关键门高效选择方法
纳米工艺下,由负偏置温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)引起的老化效应成为影响数字电路可靠性的最重要因素之一.老化关键门识别是对电路老化防护最重要基础,而现有识别方法依赖于关键路径集(Critical PathsSet,CPS),但CPS生成复杂度极高;而且,该类方法若结合电路中拓扑关联特性会得到进一步的优化.本文分析了电路中的这种特性,提出一种考虑电路拓扑关联的高效老化关键门选择方法(ECGIM),精选出对电路老化最关键的门集合.对ITC99和ISCAS标准电路的实验结果表明,在保证电路具有相同工作寿命的前提下,相比已有的关键门查找方法,ECGIM查找效率平均提高了3.97 倍,老化关键门数目平均降低了33.82％.
集成电路 老化效应 拓扑关联性 关键路径集 关键门 查找效率
余天送 梁华国 许达文
合肥工业大学电子科学与应用物理学院 合肥 230009
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2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）