采用输入谐波控制的GaN F类高效率功率放大器设计
本文基于GaN技术设计了一个工作于2.4GHz的F类高效率功率放大器.基波与谐波负载阻抗由负载牵引仿真得到的,并且由输出匹配网络(HMN)综合得出.同时考虑了功率晶体管的寄生参数,输出网络增加了寄生补偿电路.为了减少栅源寄生电容对输入信号造成的影响,在输入端口加了二次谐波控制电路,提高了放大器的漏极效率.输入与输出二次谐波λ/4短路线与直流偏置线共用一条微带,并且采用扇形微带代替短路电容.基于上述方案本电路结构较紧凑.实测结果表明,功率放大器工作在2.4GHz功率附加效率为74％,输出功率为40.5ｄＢｍ,增益为14.7dB.
功率放大器 结构设计 氮化镓 谐波控制
赵资阳 唐宗熙
电子科技大学 电子工程学院 四川成都 611731
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2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）