成型工艺对高介薄型单层陶瓷电容器电阻性能影响

摘要：

采用流延和轧膜成型两种工艺制作了尺寸为38.1mm×38.1mm×0.15mm,介电常数为25000左右的单层微波电容用陶瓷介质基片.系统对比了两种不同成型工艺对该基片的显微结构和电阻性能的影响规律.实验结果表明.轧膜成型制备出的电容器样品的绝缘电阻偏压特性和温度特性均优于流延成型工艺制得的样品,而且在各个温度下的介电损耗低于流延成型工艺制得的样品.不同的陶瓷基片表面扫描电镜图显示,流延成型的陶瓷介质表面粗糙多孔,而轧膜成型的陶瓷介质表面致密紧实.

关键词： 陶瓷电容器 显微结构 电阻性能 轧膜成型工艺 流延成型工艺

作者: 黎俊宇 钟朝位 张旭

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国电子陶瓷、陶瓷——金属封接第十四届会议暨真空电子与专用金属材料分会2014年年会

会议地点: 景德镇

会议语种:中文

页码: 30-33

在线出版日期: 2014-09-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）