无压烧结AlN(Y2O3)陶瓷热导率的温度关系

摘要：

本实验采用无压烧结技术,以Y2O3为烧结助剂制备AlN陶瓷.闪光法测试AlN陶瓷在室温到300℃的温度关系.结果表明:在25～300℃,AlN陶瓷热导率随温度升高而降低;热导率较高的AlN试样热扩散系数和热导率随测试温度升高而下降得更快;Y2O3添加量对AlN陶瓷热扩散系数和热导率随测试温度升高而下降的整体趋势影响不大.

关键词： 氮化铝陶瓷 无压烧结法 热导率 环境温度

作者: 袁文杰 李晓云 丘泰 陆万泽

作者单位: 南京工业大学材料科学与工程学院,江苏南京210009

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国电子陶瓷、陶瓷——金属封接第十四届会议暨真空电子与专用金属材料分会2014年年会

会议地点: 景德镇

会议语种:中文

页码: 34-36

在线出版日期: 2014-09-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）