(HfO2)x(Al2O3)1-x/SiC的能带结构

摘要：

本文采用原子层淀积(ALD)的方法在碳化硅(SiC)上生长(HfO2)x(Al2O3)1-xhigh-k栅介质材料,运用X射线光电子能谱(XPS)分析了样品各元素的含量及存在形式,并从栅介质的XPS价带谱中采用线性外推法提取出各栅介质的价带最大值,从而计算获得不同组分介质的价带带偏及导带带偏,结果表明,随着(HfO2)x(Al2O3)1-x栅介质HfO2组分x的减小,价带带偏及导带带偏增加.

关键词： 半导体材料 碳化硅 栅介质 能带结构 二氧化铪 氧化铝

作者: 闫宏丽 贾仁需 宋庆文 汤晓燕 张玉明 魏海亮

作者单位: 西安电子科技大学宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西 西安 710071 西安电子科技大学 宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西 西安 710071;西安电子科技大学 先进材料与纳米科技学院,陕西 西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 21-24

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）