4H-SiC P型浮动结构外延生长和器件制备
利用水平式低压热壁CVD生长系统,在N型4H-SiC(0001)面的导电型衬底上进了两次外延生长,成功生长出了FJ(Floating Junction-FJ)结构的4H-SiC双层同质外延材料,利用原子力显微镜(AFM) 、莱卡光学显微镜、和拉曼光谱分析(Raman)对SJ结构的4H-SiC双层同质外延材料的特性进行研究,发现外延层表面光滑且有很好的晶格结构和完整性.AFM 测试显示表面均方根粗糙度为0.298nm,.Raman谱线表现出典型的4H-SiC特征.随后,在基于该材料制备出了SJ-肖特基二极管(FJ-SBD),在没有终端保护的情况下,器件的击穿电压接近1000V,比制备在同等厚度的传统单层4H-SiC外延材料上的SBD的击穿电压提高了400V,器件FOM值提高了接近4倍.
半导体材料 碳化硅 外延生长 浮动结 SJ-肖特基二极管 击穿电压
宋庆文 刘长道 袁昊 汤晓燕 王悦湖 张玉明 张义门
西安电子科技大学 先进材料与纳米科技学院,陕西 西安 710071;西安电子科技大学 宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西 西安 710071 国家电网临沂供电公司,山东 临沂 276700 西安电子科技大学宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西 西安 710071
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2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）