氮掺杂浓度对6H-SiC热氧化速率的影响

摘要：

本文研究了在不同浓度氮(N)掺杂对6H-SiC热氧化速率的影响,掺杂浓度分别为9.53×1016cm-3、1.44×1017cm-3、2.68×1018cm-3.在干氧条件下,分别在1050℃和1150℃温度下,氧化2、4、6、8、10个小时.随后用椭偏仪对样品的氧化薄膜厚度进行测试,并利用修正的Deal-Grove模型,提取出线性氧化速率和抛物线氧化速率.结果表明,随着N元素浓度的增加,6H-SiC的热氧化速度逐渐加快.

关键词： 半导体材料 碳化硅 氧化速率 氮浓度

作者: 贾一凡 吕红亮 宋庆文 汤晓燕 郭辉 凌显宝

作者单位: 西安电子科技大学宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西 西安 710071 西安电子科技大学 宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西 西安 710071;西安电子科技大学 先进材料与纳米科技学院,陕西 西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 29-34

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）